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标题: [资讯] 三星分享3mm GAE MBCFET芯片制造细节 [打印本页]

作者: a1411496704 时间: 2021-3-13 22:08 标题: 三星分享3mm GAE MBCFET芯片制造细节

三星电子和台积电都计划开发3nm工艺技术。据外媒报道，三星在IEEE国际固态电路会议上分享了即将推出的3mm GAE MBCFET芯片制造细节。

GAAFET晶体管在结构上有两种形式，是目前FinFET的升级版。三星表示传统的GAAFET工艺用三层纳米线构建晶体管，栅极相对较薄；而三星MBCFET工艺使用纳米片来构建晶体管，已为MBCFET注册了商标。三星表示，两种方法都可以达到3nm，但要看具体设计。

作者: 2651886 时间: 2021-3-22 16:30

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